2SD2673 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD2673  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 270

Корпус транзистора: TSMT3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD2673

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD2673 даташит

 ..1. Size:67K  rohm
2sd2673.pdfpdf_icon

2SD2673

2SD2673 Transistors Low frequency amplifier 2SD2673 External dimensions (Unit mm) Application Low frequency amplifier TSMT3 Driver 1.0MAX 2.9 0.85 0.4 0.7 (3) Features 1) A collector current is large. (3A) ( ) ( ) 2) VCE(sat) max. 250mV 1 2 0.95 0.95 0.16 At IC = 1.5A / IB = 30mA 1.9 (1) Base (2) Emitter Each lead has same dimensions (3) Collector P

 8.1. Size:59K  rohm
2sd2670.pdfpdf_icon

2SD2673

2SD2670 Transistors Low frequency amplifier 2SD2670 External dimensions (Unit mm) Application Low frequency amplifier TSMT3 Driver 1.0MAX 2.9 0.85 0.4 0.7 ( ) 3 Features 1) A collector current is large. ( ) ( ) 1 2 2) VCE(sat) max.250mV 0.95 0.95 0.16 At lc=1.5A / lB=30mA 1.9 (1) Base (2) Emitter Each lead has same dimensions (3) Collector Abso

 8.2. Size:66K  rohm
2sd2671.pdfpdf_icon

2SD2673

2SD2671 Transistors Low frequency amplifier 2SD2671 External dimensions (Unit mm) Application Low frequency amplifier TSMT3 Driver 1.0MAX 2.9 0.85 0.4 0.7 ( ) 3 Features 1) A collector current is large. 2) VCE(sat) max. 370mV (1) (2) 0.95 0.95 At lc=1.5A / lB=75mA 0.16 1.9 (1) Base (2) Emitter Each lead has same dimensions (3) Collector Absolute maxi

 8.3. Size:76K  rohm
2sd2678.pdfpdf_icon

2SD2673

2SD2678 Transistors 3A / 12V Bipolar transistor 2SD2678 Applications Dimensions (Unit mm) Low frequency amplification, driver MPT3 Features 1) Collector current is high. 2) Low collector-emitter saturation voltage. (VCE(sat) 250mV at IC = 1.5A, IB = 30mA) (1)Base (2)Collector Structure (3)Emitter Abbreviated symbol XX NPN epitaxial planar silicon transistor

Другие транзисторы: 2SD2656, 2SD2657K, 2SD2657, 2SD2661, 2SD2662, 2SD2670, 2SD2671, 2SD2672, BD335, 2SD2674, 2SD2675, 2SD2696, 2SD2700, 2SD2701, 2SD2702, 2SD2703, 2SD2704K