DTA124XE datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: DTA124XE 📄📄
Маркировка: 35_6L
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 40 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 68
Корпус транзистора: EMT3
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для DTA124XE
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
DTA124XE даташит
dta124xe dta124xka.pdf
DTA124X series Datasheet PNP -100mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline VMT3 EMT3 Parameter Value OUT OUT VCC -50V IN IN IC(MAX.) -100mA GND GND R1 22kW DTA124XM DTA124XE R2 (SC-105AA) 47kW SOT-416 (SC-75A) UMT3 SMT3 OUT lFeatures OUT 1) Built-In Biasing Resistors IN IN 2) Built-in bias resistors enable the configura
pdta124xe 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTA124XE PNP resistor-equipped transistor Product specification 1999 May 21 Supersedes data of 1998 Nov 25 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA124XE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k and 47 k respectively) Simplification of circuit design Reduces number of
pdta124xef 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTA124XEF PNP resistor-equipped transistor 1999 May 25 Preliminary specification Supersedes data of 1998 Nov 16 Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped transistor PDTA124XEF FEATURES PINNING Power dissipation comparable to SOT23 PIN DESCRIPTION Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k and 47 k
pdta124xe 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTA124XE PNP resistor-equipped transistor Product specification 1999 May 21 Supersedes data of 1998 Nov 25 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA124XE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k and 47 k respectively) Simplification of circuit design Reduces number of
Другие транзисторы: DTA123JM, DTA123JUA, DTA123JUB, DTA123YE, DTA124EE, DTA124EEB, DTA124EM, DTA124EUB, 2SC1815, DTA124XM, DTA124XUA, DTA143EEB, DTA143EM, DTA143EUB, DTA143XE, DTA143XEB, DTA143XM
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: 2SC4681B | 2SB370AH | 2SA1162-O | 2SB926 | NB113FI | ESM139 | DTB743EM
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
k8a50d datasheet | 2sc381 | datasheet mosfet | 2sk2586 | 13005 transistor | ecg123a | irfp360 | bc108 equivalent













