DTB713ZM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DTB713ZM  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 260 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 140

Корпус транзистора: SC-105AA VMT3 SOT723

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для DTB713ZM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTB713ZM даташит

 7.1. Size:178K  rohm
 dtb713z dtb713ze.pdf pdf_icon

DTB713ZM

-200mA / -30V Low VCE (sat) Digital transistors (with built-in resistors) DTB713ZE / DTB713ZM Applications Dimensions (Unit mm) Inverter, Interface, Driver DTB713ZE 1.6 0.7 0.55 0.3 Feature ( ) 3 1) VCE (sat) is lower than conventional products. 2) Built-in bias resistors enable the configuration of ( ) ( ) 2 1 0.2 0.2 an inverter circuit without connecting extern

Другие транзисторы: DTB523YM, DTB543EE, DTB543EM, DTB543XE, DTB543XM, DTB543ZE, DTB543ZM, DTB713ZE, NJW0281G, DTB723YE, DTB723YM, DTB743EE, DTB743EM, DTB743XE, DTB743XM, DTB743ZE, DTB743ZM