DTC115EM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DTC115EM  📄📄 

Маркировка: 29

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 100 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 100 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 40 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 82

Корпус транзистора: SC-105AA VMT3 SOT723

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для DTC115EM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTC115EM даташит

 ..1. Size:181K  rohm
 dtc115em.pdf pdf_icon

DTC115EM

100mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors) DTC115EM / DTC115EE / DTC115EUA / DTC115EKA Applications Inner circuit Inverter, Interface, Driver R1 OUT IN R2 Features GND 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see the equivalent circuit). IN OUT 2) The bias resistors consist of t

 0.1. Size:1384K  rohm
 dtc115eefra dtc115ekafra dtc115emfha dtc115euafra.pdf pdf_icon

DTC115EM

DTC115E series Datasheet NPN 100mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter Value VMT3 EMT3F VCC 50V IC(MAX.) 100mA R1 100k DTC115EM DTC115EEB R2 (SC-105AA) (SC-89) 100k EMT3 UMT3 lFeatures l 1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 100k 2) Built-in bias resistors enable the configuration of

 0.2. Size:140K  onsemi
 dtc115em3.pdf pdf_icon

DTC115EM

MUN2236, MMUN2236L, MUN5236, DTC115EE, DTC115EM3 Digital Transistors (BRT) R1 = 100 kW, R2 = 100 kW http //onsemi.com NPN Transistors with Monolithic Bias PIN CONNECTIONS Resistor Network PIN 3 COLLECTOR This series of digital transistors is designed to replace a single (OUTPUT) device and its external resistor bias network. The Bias Resistor PIN 1 R1 BASE Transistor (BRT) conta

 0.3. Size:82K  onsemi
 dtc115em3t5g.pdf pdf_icon

DTC115EM

DTC114EM3T5G Series Digital Transistors (BRT) NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The digital transistor http //onsemi.com contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resis

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: DTC114EM, DTC114EUB, DTC114WE, DTC114YEB, DTC114YM, DTC114YUA, DTC114YUB, DTC115EEB, 13007, DTC123EE, DTC123EM, DTC123JEB, DTC123JM, DTC123JUB, DTC123YE, DTC124EEB, DTC124EM