DTC123JEB - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

DTC123JEB - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DTC123JEB
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SC-89 EMT3F SOT416FL

 Аналоги (замена) для DTC123JEB

 

DTC123JEB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:152K  rohm
dtc123jeb.pdfpdf_icon

DTC123JEB

100mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors) DTC123JEB Applications Dimensions (Unit mm) Inverter, Interface, Driver EMT3F 1.6 0.7 0.26 Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of (3) an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). 2) The bias resistors consist of thin-film resistors (1) (2)

 6.1. Size:54K  motorola
pdtc123jef 1.pdfpdf_icon

DTC123JEB

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTC123JEF NPN resistor-equipped transistor 1999 May 27 Preliminary specification Philips Semiconductors Preliminary specification NPN resistor-equipped transistor PDTC123JEF FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k and 47 k respectively) 3 handbook, halfpage 3 Simplification of circuit design R1 1 Red

 6.2. Size:55K  motorola
pdtc123je 3.pdfpdf_icon

DTC123JEB

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTC123JE NPN resistor-equipped transistor 1999 May 21 Product specification Supersedes data of 1998 Aug 03 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC123JE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 and 47 k respectively) Simplification of circuit design handbook, halfpage 3 3

 6.3. Size:54K  philips
pdtc123jef 1.pdfpdf_icon

DTC123JEB

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTC123JEF NPN resistor-equipped transistor 1999 May 27 Preliminary specification Philips Semiconductors Preliminary specification NPN resistor-equipped transistor PDTC123JEF FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k and 47 k respectively) 3 handbook, halfpage 3 Simplification of circuit design R1 1 Red

Другие транзисторы... DTC114YEB , DTC114YM , DTC114YUA , DTC114YUB , DTC115EEB , DTC115EM , DTC123EE , DTC123EM , D882 , DTC123JM , DTC123JUB , DTC123YE , DTC124EEB , DTC124EM , DTC124EUB , DTC124XM , DTC143EEB .

History: DTC123EM | KRC158F | KT638A | KRC120 | KT604BM | KT385AM-2

 

 
Back to Top

 


 
.