DTD513ZE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DTD513ZE  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 260 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 140

Корпус транзистора: EMT3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для DTD513ZE

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTD513ZE даташит

 ..1. Size:178K  rohm
 dtd513ze.pdf pdf_icon

DTD513ZE

500mA / 12V Low VCE (sat) Digital transistors (with built-in resistors) DTD513ZE / DTD513ZM Applications Dimensions (Unit mm) Inverter, Interface, Driver DTD513ZE 1.6 0.7 0.55 0.3 ( ) 3 Feature 1) VCE (sat) is lower than conventional products. ( ) ( ) 2 1 0.2 0.2 2) Built-in bias resistors enable the configuration of 0.15 (1) GND 0.5 0.5 an inverter circuit wit

Другие транзисторы: DTC143ZUB, DTC144EEB, DTC144EM, DTC144EUB, DTC144WE, DTD113ZK, DTD113ZU, DTD123YK, BC558, DTD513ZM, DTD523YE, DTD523YM, DTD543EE, DTD543EM, DTD543XE, DTD543XM, DTD543ZE