DTD523YE - описание и поиск аналогов

 

DTD523YE - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DTD523YE
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.22
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 260 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 140
   Корпус транзистора: EMT3

 Аналоги (замена) для DTD523YE

 

DTD523YE - технические параметры

 ..1. Size:178K  rohm
 dtd523ye.pdf pdf_icon

DTD523YE

500mA / 12V Low VCE (sat) Digital transistors (with built-in resistors) DTD523YE / DTD523YM Applications Dimensions (Unit mm) Inverter, Interface, Driver DTD523YE 1.6 0.7 0.55 0.3 Feature ( ) 3 1) VCE (sat) is lower than conventional products. 2) Built-in bias resistors enable the configuration of ( ) ( ) 2 1 0.2 0.2 an inverter circuit without connecting external

Другие транзисторы... DTC144EM , DTC144EUB , DTC144WE , DTD113ZK , DTD113ZU , DTD123YK , DTD513ZE , DTD513ZM , TIP127 , DTD523YM , DTD543EE , DTD543EM , DTD543XE , DTD543XM , DTD543ZE , DTD543ZM , DTD713ZE .

 

 
Back to Top

 


 
.