DTD723YM - описание и поиск аналогов

 

DTD723YM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DTD723YM

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.22

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 260 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 140

Корпус транзистора: SC-105AA VMT3 SOT723

 Аналоги (замена) для DTD723YM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTD723YM даташит

 7.1. Size:178K  rohm
 dtd723ye.pdf pdf_icon

DTD723YM

200mA / 30V Low VCE (sat) Digital transistors (with built-in resistors) DTD723YE / DTD723YM Applications Dimensions (Unit mm) Inverter, Interface, Driver DTD723YE 1.6 0.7 0.55 0.3 ( ) 3 Feature ( ) ( ) 2 1 0.2 0.2 1) VCE (sat) is lower than conventional products. 0.15 (1) GND 0.5 0.5 2) Built-in bias resistors enable the configuration of (2) IN 1.0 EMT3 an i

Другие транзисторы: DTD543EM, DTD543XE, DTD543XM, DTD543ZE, DTD543ZM, DTD713ZE, DTD713ZM, DTD723YE, 2SB817, DTD743EE, DTD743EM, DTD743XE, DTD743XM, DTD743ZE, DTD743ZM, DTDG23YP, KT209B1

 

 

 

 

↑ Back to Top
.