Биполярный транзистор KT815B9 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KT815B9
Маркировка: КТ815Б9
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: KT-89
KT815B9 Datasheet (PDF)
kt815a.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor KT815ADESCRIPTIONHigh Collector Current-I = 1.5ACHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 40V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFELow Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)
Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , 2222A , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050