KT817G9 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KT817G9  📄📄 

Маркировка: КТ817Г9

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: KT-89

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KT817G9

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KT817G9 даташит

 9.1. Size:699K  russia
 kt817a-b-v-g.pdf pdf_icon

KT817G9

Другие транзисторы: KT816A9, KT816B9, KT816G9, KT816V9, KT8170A1, KT8170B1, KT817A9, KT817B9, 8050, KT817V9, KT8212A, KT8212B, KT8212V, KT8213A, KT8213B, KT8213V, KT8214A