KT8296G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KT8296G

Маркировка: КТ8296Г

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: KT27

 Аналоги (замена) для KT8296G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KT8296G даташит

 9.1. Size:33K  no
 kt829a.pdf pdf_icon

KT8296G

n-p-n, 829 Ik max,A 8 Uo (U max)[Ur max],B100 U max,B 100 P max(P max), 60 T max,C 150 h21(h21)[S21 ] 750 U(U),B 3 I(I),A 3 U ,B 2 I(IR), 1500 f(fh21), 4 R -(R -),/ 2.08

 9.2. Size:713K  russia
 kt829a-b-v-g.pdf pdf_icon

KT8296G

 9.3. Size:213K  inchange semiconductor
 kt829a.pdf pdf_icon

KT8296G

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor KT829A DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 100V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain h = 750(Min) @I = 3A FE C Low Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use as complementary AF push-pull output stage applications ABSOLUTE

Другие транзисторы: KT8271B, KT8271V, KT8272A, KT8272B, KT8272V, KT8290A, KT8296A, KT8296B, 2SC828, KT8296V, KT8297A, KT8297B, KT8297G, KT8297V, KT8301A-5, KT8304A, KT8304A-5