KT8296G Todos los transistores

 

KT8296G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KT8296G
   Código: КТ8296Г
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: KT27

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KT8296G Datasheet (PDF)

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KT8296G

n-p-n, 829 Ik max,A 8 Uo (U max)[Ur max],B100 U max,B 100 P max(P max), 60 T max,C 150 h21(h21)[S21 ] 750 U(U),B 3 I(I),A 3 U ,B 2 I(IR), 1500 f(fh21), 4 R -(R -),/ 2.08

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KT8296G

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KT8296G

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor KT829A DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 100V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain h = 750(Min) @I = 3A FE C Low Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use as complementary AF push-pull output stage applications ABSOLUTE

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History: BDX40-7

 

 
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