KTD540A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KTD540A  📄📄 

Маркировка: КТД540А

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 90 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000

Корпус транзистора: KT26

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KTD540A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTD540A даташит

 9.1. Size:68K  kec
 ktd545.pdf pdf_icon

KTD540A

SEMICONDUCTOR KTD545 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR LOW FREQUENCY POWER AMP, CONVERTER ELECTRONIC GOVERNOR APPLICATIONS B C FEATURES Low Saturation Voltage VCE(sat)=0.3V(Max.) at IC=0.5A. N DIM MILLIMETERS Complementary to KTB598. A 4.70 MAX E K B 4.80 MAX G C 3.70 MAX D D 0.45 E 1.00 F 1.27 G 0.85 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) H 0.45 _ H J 14.00 + 0.50

Другие транзисторы: KT939A1, KT939B, KT939B1, KT939V, KT939V1, KT972G, KT972V, KT973V, 2SD1047, KTD8303A, KTD8303A-5, KTD8303A9, 2T3117A, 2T3133A, 2T3133A-2, 2T3158A-2, 2T3160A-2