2SC4770. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SC4770
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 3
Корпус транзистора: TO3PML
Аналоги (замена) для 2SC4770
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SC4770 даташит
2sc4770.pdf
Ordering number EN3666A NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC4770 Ultrahigh-Definition Color Display Horizontal Deflection Output Applications Features Package Dimensions High speed (tf=100ns typ). unit mm High breakdown voltage (VCBO=1500V). 2039D High reliability (Adoption of HVP process). [2SC4770] Adoption of MBIT process. 16.0 5.6 3.4 3.1 2.8 2
2sc4770.pdf
Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2SC4770 DESCRIPTION With TO-3PML package High breakdown voltage, high reliability. High speed APPLICATIONS Ultrahigh-definition color display Horizontal deflection output applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector 3 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3PML) and symbol Maximum abso
2sc4770.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4770 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- V = 1500V(Min) (BR)CBO High Switching Speed High Reliability 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Ultrahigh-definition color display horizontal deflection output applications ABSOLUTE MAXI
2sc4774 2sc4713k.pdf
2SC4774 / 2SC4713K Transistors High frequency amplifier transistor, RF switching (6V, 50mA) 2SC4774 / 2SC4713K Features 2SC4774 1) Very low output-on resistance (Ron). 2) Low capacitance. 1.25 2.1 Absolute maximum ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Limits Unit Collector-base voltage VCBO 12 V Collector-emitter voltage VCEO 6 V 0.1Min. Emitter-base voltage VEBO 3 V E
Другие транзисторы: 2SC4517A, 2SC4538, 2SC4557, 2SC4595, 2SC4662, 2SC4663, 2SC4664, 2SC4769, MJE340, 2SC4804, 2SC4833, 2SC4834, 2SC4849, 2SC4907, 2SC4908, 2SC4923, 2SC4924
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1775 datasheet | j377 transistor datasheet | svt20240nt | tip41c replacement | b772m transistor | mj15003g datasheet | irfp460n datasheet | mj15025g






