2SD2374 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD2374  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO220F

 Аналоги (замена) для 2SD2374

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD2374 даташит

 ..1. Size:45K  panasonic
 2sd2374.pdf pdf_icon

2SD2374

Power Transistors 2SD2374, 2SD2374A Silicon NPN triple diffusion planar type For power amplification Complementary to 2SB1548 and 2SB1548A Unit mm Features High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity 4.6 0.2 9.9 0.3 Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) 2.9 0.2 Full-pack package which can be installed to the heat sink with one scr

 ..2. Size:115K  inchange semiconductor
 2sd2374 2sd2374a.pdf pdf_icon

2SD2374

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD2374 2SD2374A DESCRIPTION With TO-220F package Complement to type 2SB1548/1548A Low collector saturation voltage High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity APPLICATIONS For power amplifications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector Fig.1 simplified

 ..3. Size:199K  inchange semiconductor
 2sd2374.pdf pdf_icon

2SD2374

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD2374 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 60V(Min) (BR)CEO Collector Power Dissipation- P = 25 W@ T = 25 C C Low Collector Saturation Voltage- V = 1.2V(Max)@ (I = 3A, I = 0.375A) CE(sat) C B Complement to Type 2SB1548 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATION

 0.1. Size:199K  inchange semiconductor
 2sd2374a.pdf pdf_icon

2SD2374

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD2374A DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 80V(Min) (BR)CEO Collector Power Dissipation- P = 25 W@ T = 25 C C Low Collector Saturation Voltage- V = 1.2V(Max)@ (I = 3A, I = 0.375A) CE(sat) C B Complement to Type 2SB1548A Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLIC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD1985A, 2SD2196, 2SD2222, 2SD2251, 2SD2331, 2SD2333, 2SD2335, 2SD2340, TIP32C, 2SD2374A, 2SD2394, 2SD2395, 2SD2399, 2SD2400, 2SD2454, 2SD2488, 2SD2493