2SD2599 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD2599  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO3PHIS

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD2599

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD2599 даташит

 ..1. Size:250K  toshiba
 2sd2599.pdf pdf_icon

2SD2599

2SD2599 TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE 2SD2599 HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR COLOR TV Unit mm High Voltage VCBO = 1500 V Low Saturation Voltage V = 8 V (Max.) CE (sat) High Speed t = 0.5 s (Typ.) f Bult-in Damper Type Collector Metal (Fin) is Fully Covered with Mold Resin. MAXIMUM RATINGS (Tc = 25 C) CHARACTERISTIC SYMBOL

 ..2. Size:213K  inchange semiconductor
 2sd2599.pdf pdf_icon

2SD2599

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD2599 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- V = 1500V (Min) CBO High Switching Speed Low Saturation Voltage Built-in Damper Diode Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Color TV horizontal deflection output applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE

 8.1. Size:54K  panasonic
 2sd2598.pdf pdf_icon

2SD2599

Transistor 2SD2598 Unit mm Silicon NPN epitaxial planer type 2.5 0.1 1.05 darlington 6.9 0.1 0.05 (1.45) 0.7 4.0 0.8 For low-frequency amplification 0.65 max. Features Forward current transfer ratio hFE is designed high, which is ap- propriate to the driver circuit of motors and printer bammer hFE +0.1 0.45 0.05 = 4000 to 20000. 2.5 0.5 2.5 0.5 A shunt resist

 8.2. Size:59K  panasonic
 2sd2598 e.pdf pdf_icon

2SD2599

Transistor 2SD2598 Unit mm Silicon NPN epitaxial planer type 2.5 0.1 1.05 darlington 6.9 0.1 0.05 (1.45) 0.7 4.0 0.8 For low-frequency amplification 0.65 max. Features Forward current transfer ratio hFE is designed high, which is ap- propriate to the driver circuit of motors and printer bammer hFE +0.1 0.45 0.05 = 4000 to 20000. 2.5 0.5 2.5 0.5 A shunt resist

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD2499, 2SD2500, 2SD2539, 2SD2553, 2SD2578, 2SD2579, 2SD2580, 2SD2586, 2N3055, 2SD2634, 2SD5072, 2SD5075T, 2SD5702, 3CD6D, 3DD200, 3DD201, 3DD207