Аналоги 2SD5075T. Основные параметры
Наименование производителя: 2SD5075T
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
Корпус транзистора: TO220
Аналоги (замена) для 2SD5075T
2SD5075T даташит
2sd5075t.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD5075T DESCRIPTION With TO-220C package High breakdown voltage High speed switching APPLICATIONS Color TV horizontal output applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector 3 Emitter Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT VCBO Collector-base vo
2sd5075.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistors 2SD5075 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- VCBO= 1500V (Min) High Switching Speed High Reliability Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for color TV horizontal output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
2sd5072.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistors 2SD5072 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- VCBO= 1500V (Min) High Switching Speed High Reliability Built-in Damper Diode Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits of colour TV receivers. ABSOLUTE MAXIMUM RAT
2sd5074.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistors 2SD5074 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- VCBO= 1500V (Min) High Switching Speed High Reliability Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for color TV horizontal output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
Другие транзисторы... 2SD2553 , 2SD2578 , 2SD2579 , 2SD2580 , 2SD2586 , 2SD2599 , 2SD2634 , 2SD5072 , TIP41 , 2SD5702 , 3CD6D , 3DD200 , 3DD201 , 3DD207 , 3DD301B , 3DD301C , 3DD301D .
History: 2SD2553
History: 2SD2553
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
k3797 mosfet | bs170 datasheet | tip41c | irfp460 | irfz44n mosfet | lm317t datasheet | irf540 | bc337
