3DD301B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DD301B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 3DD301B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD301B даташит

 ..1. Size:202K  inchange semiconductor
 3dd301b.pdf pdf_icon

3DD301B

isc Silicon NPN Power Transistor 3DD301B DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 50V(Min) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 2.0V(Max) @I = 3A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for B/W TV vertical output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL

 8.1. Size:178K  crhj
 3dd3015a1.pdf pdf_icon

3DD301B

NPN R 3DD3015 A1 3DD3015 A1 NPN VCEO 450 V IC 1.2 A Ptot Ta=25 0.8 W

 8.2. Size:146K  crhj
 3dd3015 a3.pdf pdf_icon

3DD301B

 8.3. Size:178K  crhj
 3dd3015 a1.pdf pdf_icon

3DD301B

NPN R 3DD3015 A1 3DD3015 A1 NPN VCEO 450 V IC 1.2 A Ptot Ta=25 0.8 W

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD2634, 2SD5072, 2SD5075T, 2SD5702, 3CD6D, 3DD200, 3DD201, 3DD207, A1015, 3DD301C, 3DD301D, 3DD303A, 3DD303B, 3DD303C, BU1508AF, BU2506AF, BU2506AX