Справочник транзисторов. 3DD301B

 

Биполярный транзистор 3DD301B Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DD301B
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для 3DD301B

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD301B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:202K  inchange semiconductor
 3dd301b.pdf pdf_icon

3DD301B

isc Silicon NPN Power Transistor 3DD301BDESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 50V(Min)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = 2.0V(Max) @I = 3ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for B/W TV vertical output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL

 8.1. Size:178K  crhj
 3dd3015a1.pdf pdf_icon

3DD301B

NPN R 3DD3015 A1 3DD3015 A1 NPN VCEO 450 V IC 1.2 A Ptot Ta=25 0.8 W

 8.2. Size:146K  crhj
 3dd3015 a3.pdf pdf_icon

3DD301B

NPN R 3DD3015 A3 3DD3015 A3 NPN VCEO 450 V IC 1.2 A Ptot Tc=25 25 W

 8.3. Size:178K  crhj
 3dd3015 a1.pdf pdf_icon

3DD301B

NPN R 3DD3015 A1 3DD3015 A1 NPN VCEO 450 V IC 1.2 A Ptot Ta=25 0.8 W

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: BC177P

 

 
Back to Top

 


 
.