3DD301B Todos los transistores

 

3DD301B Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DD301B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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3DD301B datasheet

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3DD301B

isc Silicon NPN Power Transistor 3DD301B DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 50V(Min) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 2.0V(Max) @I = 3A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for B/W TV vertical output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL

 8.1. Size:178K  crhj
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3DD301B

NPN R 3DD3015 A1 3DD3015 A1 NPN VCEO 450 V IC 1.2 A Ptot Ta=25 0.8 W

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3DD301B

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3DD301B

NPN R 3DD3015 A1 3DD3015 A1 NPN VCEO 450 V IC 1.2 A Ptot Ta=25 0.8 W

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