3DD301B Todos los transistores

 

3DD301B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DD301B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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3DD301B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:202K  inchange semiconductor
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3DD301B

isc Silicon NPN Power Transistor 3DD301BDESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 50V(Min)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = 2.0V(Max) @I = 3ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for B/W TV vertical output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL

 8.1. Size:178K  crhj
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3DD301B

NPN R 3DD3015 A1 3DD3015 A1 NPN VCEO 450 V IC 1.2 A Ptot Ta=25 0.8 W

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3DD301B

NPN R 3DD3015 A3 3DD3015 A3 NPN VCEO 450 V IC 1.2 A Ptot Tc=25 25 W

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 3dd3015 a1.pdf pdf_icon

3DD301B

NPN R 3DD3015 A1 3DD3015 A1 NPN VCEO 450 V IC 1.2 A Ptot Ta=25 0.8 W

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