BU2722AF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU2722AF

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 825 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 4.5

Корпус транзистора: TO3PFA

 Аналоги (замена) для BU2722AF

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU2722AF даташит

 ..1. Size:57K  philips
 bu2722af 2.pdf pdf_icon

BU2722AF

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2722AF GENERAL DESCRIPTION New generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of high resolution monitors. Designed to withstand VCES pulses up to 1700 V. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. M

 ..2. Size:80K  jmnic
 bu2722af.pdf pdf_icon

BU2722AF

Product Specification www.jmnic.com Silicon Power Transistors BU2722AF DESCRIPTION With TO-3PFa package High voltage High speed switching APPLICATIONS For use in horizontal deflection circuits of high resolution monitors PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector 3 Emitter Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT VCBO Colle

 ..3. Size:121K  inchange semiconductor
 bu2722af.pdf pdf_icon

BU2722AF

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BU2722AF DESCRIPTION With TO-3PFa package High voltage High speed switching APPLICATIONS For use in horizontal deflection circuits of high resolution monitors PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector 3 Emitter Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT

 7.1. Size:58K  philips
 bu2722ax 1.pdf pdf_icon

BU2722AF

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2722AX GENERAL DESCRIPTION New generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of high resolution monitors. Designed to withstand VCES pulses up to 1700 V. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. M

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BU2506AX, BU2515DX, BU2520DW, BU2525AW, BU2527DX, BU2708DF, BU2720AX, BU2720DF, S9014, BU2725AX, BU2725DX, BU2727AF, BU2727AW, BU2727DF, BU508AW, BU508AX, BU508DW