BU2727DF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU2727DF

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 825 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5.5

Корпус транзистора: TO3PFA

 Аналоги (замена) для BU2727DF

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU2727DF даташит

 ..1. Size:83K  inchange semiconductor
 bu2727df.pdf pdf_icon

BU2727DF

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BU2727DF DESCRIPTION With TO-3PFa package High voltage,high speed Built-in damper diode APPLICATIONS For use in horizontal deflection circuits of high resolution monitors PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector 3 Emitter Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS

 7.1. Size:124K  inchange semiconductor
 bu2727dx.pdf pdf_icon

BU2727DF

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BU2727DX DESCRIPTION High Switching Speed High Voltage Built-in Ddamper Ddiode APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits of high resolution monitors. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCES Collector- Emitter Voltage(VBE= 0) 1700 V V

 8.1. Size:55K  philips
 bu2727aw 1.pdf pdf_icon

BU2727DF

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2727AW GENERAL DESCRIPTION High voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic envelope intended for use in horizontal deflection circuits of high resolution monitors, suitable for operation up to 64 kHz. Designed to withstand VCES pulses up to 1700V. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDIT

 8.2. Size:52K  philips
 bu2727a 1.pdf pdf_icon

BU2727DF

Philips Semiconductors Preliminary specification Silicon Diffused Power Transistor BU2727A GENERAL DESCRIPTION High voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic envelope intended for use in horizontal deflection circuits of high resolution monitors, suitable for operation up to 64 kHz. Designed to withstand VCES pulses up to 1700V. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CON

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BU2708DF, BU2720AX, BU2720DF, BU2722AF, BU2725AX, BU2725DX, BU2727AF, BU2727AW, MJE340, BU508AW, BU508AX, BU508DW, BU508DX, BUF405AFP, BUH1015HI, BUH417D, BUH713