Справочник транзисторов. T430

 

Биполярный транзистор T430 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: T430
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 800
   Корпус транзистора: TO3PN

 Аналоги (замена) для T430

 

 

T430 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:130K  inchange semiconductor
 t430.pdf

T430 T430

NPN T430 TO-3PN 1 2 3 (TC=25)

 0.1. Size:65K  njs
 dt430.pdf

T430 T430

 0.2. Size:729K  cet
 cet4301.pdf

T430 T430

CET4301P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-40V, -6.3A, RDS(ON) = 44m @VGS = -10V. RDS(ON) = 68m @VGS = -4.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.SOT-223 package.GDSDGSOT-223SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitsDrain-S

 0.3. Size:75K  aosemi
 aot430.pdf

T430 T430

AOT430N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AOT430 uses advanced trench technology and VDS (V) = 75Vdesign to provide excellent RDS(ON) with low gate ID = 80 A (VGS = 10V)charge. This device is suitable for use in PWM, load RDS(ON)

 0.4. Size:839K  cn vbsemi
 aot430.pdf

T430 T430

AOT430www.VBsemi.twN-Channel 80 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETaVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0065at VGS = 10 V 8080 0.0070at VGS = 6.0 V 75 17.1 nCAPPLICATIONS0.0085at VGS = 4.5 V 65 Primary Side SwitchingTO-220AB Synchronous RectificationD DC/AC Inverters LED Backlighti

 0.5. Size:260K  inchange semiconductor
 aot430.pdf

T430 T430

isc N-Channel MOSFET Transistor AOT430FEATURESDrain Current I =80A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =75V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 11.5m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

 

 
Back to Top