Биполярный транзистор T430 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: T430
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 800
Корпус транзистора: TO3PN
T430 Datasheet (PDF)
1.1. dt430.pdf 
Size:65K _upd
1.2. t430.pdf Size:130K _inchange_semiconductor
??????? ????? ? NPN ?????? T430 ?? ·TO-3PN ?? ·???,??? ·????? ·?????? ?? ·???????? ·????? ·????? ·?????? ???? ?? ?? 1 ?? 2 ??? 3 ??? ????? (TC=25?) ?? ?? ?? ??? ?? VCBO ???—???? ????? 600 V VCEO ???—????? ???? 400 V VEBO ???—???? ????? 5 V IC ????? 10 A IB ???? 2 A PC ??????? TC=25? 100 W Tj ?? 150 ? Tstg ???? -55~150 ? ??????? ?????
1.3. cet4301.pdf Size:729K _cet
CET4301 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -40V, -6.3A, RDS(ON) = 44m? @VGS = -10V. RDS(ON) = 68m? @VGS = -4.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. D Lead free product is acquired. SOT-223 package. G D S D G SOT-223 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Units Drain-Source V
1.4. aot430.pdf Size:75K _aosemi
AOT430 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AOT430 uses advanced trench technology and VDS (V) = 75V design to provide excellent RDS(ON) with low gate ID = 80 A (VGS = 10V) charge. This device is suitable for use in PWM, load RDS(ON) < 11.5mΩ (VGS = 10V) switching and general purpose applications. Standard Product AOT430 is Pb-free (m
Другие транзисторы... 2SC628 , 2SC629 , 2SC63 , 2SC631 , 2SC631A , 2SC631AS , 2SC632 , 2SC632A , BC547C , 2SC633A , 2SC634 , 2SC634A , 2SC635 , 2SC636 , 2SC637 , 2SC638 , 2SC639 .
