T430. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: T430

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 800

Корпус транзистора: TO3PN

 Аналоги (замена) для T430

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

T430 даташит

 ..1. Size:130K  inchange semiconductor
 t430.pdf pdf_icon

T430

NPN T430 TO-3PN 1 2 3 (TC=25 )

 0.1. Size:65K  njs
 dt430.pdf pdf_icon

T430

 0.2. Size:729K  cet
 cet4301.pdf pdf_icon

T430

CET4301 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -40V, -6.3A, RDS(ON) = 44m @VGS = -10V. RDS(ON) = 68m @VGS = -4.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. D Lead free product is acquired. SOT-223 package. G D S D G SOT-223 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Units Drain-S

 0.3. Size:75K  aosemi
 aot430.pdf pdf_icon

T430

AOT430 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AOT430 uses advanced trench technology and VDS (V) = 75V design to provide excellent RDS(ON) with low gate ID = 80 A (VGS = 10V) charge. This device is suitable for use in PWM, load RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: T06, T2141, T2141F, T2142, T2142F, T25, T30, T30F, 2SB817, 2PD601AW, 2SA1235A, 2SA1586, 2SA1797, 2SB1132, 2SB1188, 2SB1189, 2SB1308