Биполярный транзистор T430 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: T430
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 800
Корпус транзистора: TO3PN
Аналог (замена) для T430
T430 Datasheet (PDF)
cet4301.pdf

CET4301P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-40V, -6.3A, RDS(ON) = 44m @VGS = -10V. RDS(ON) = 68m @VGS = -4.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.SOT-223 package.GDSDGSOT-223SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitsDrain-S
aot430.pdf

AOT430N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AOT430 uses advanced trench technology and VDS (V) = 75Vdesign to provide excellent RDS(ON) with low gate ID = 80 A (VGS = 10V)charge. This device is suitable for use in PWM, load RDS(ON)
Другие транзисторы... T06 , T2141 , T2141F , T2142 , T2142F , T25 , T30 , T30F , 2N4401 , 2PD601AW , 2SA1235A , 2SA1586 , 2SA1797 , 2SB1132 , 2SB1188 , 2SB1189 , 2SB1308 .



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bc550 | irf9530 | 2n2222a transistor | irfp250 | irf640n datasheet | irf540 datasheet | irf530 | 2n3565