Справочник транзисторов. 3DK2222A

 

Биполярный транзистор 3DK2222A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 3DK2222A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора: SOT23

Аналоги (замена) для 3DK2222A

 

 

3DK2222A Datasheet (PDF)

0.1. 3dk2222a.pdf Size:954K _lge

3DK2222A
3DK2222A

3DK2222A(NPN) TO-92 Bipolar TransistorsTO-92 1. EMITTER 4.45 2. BASE 5.21 3. COLLECTOR 4.322.92 5.33FeaturesMIN Epitaxial planar die construction 3.43MINMAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 2.412.67Symbol Parameter Value Units3.182.034.19VCBO Collector-Base Voltage 75 V2.671.14VCEO Collector-Emitter Voltage 40 V 1.402.032.67

0.2. 3dk2222a sot-23.pdf Size:997K _lge

3DK2222A
3DK2222A

3DK2222A SOT-23 Transistor(NPN)1. BASE SOT-232.EMITTER 3.COLLECTOR Features Epitaxial planar die construction Complementary PNP Type available(MMBT2907A) MARKING: 1P1 Dimensions in inches and (millimeters)MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 75 V VCEO 40 VCollector-Emitter Voltage VEBO 6 V

 7.1. 3dk2222.pdf Size:164K _china

3DK2222A

3DK2222 NPN PCM TC=25 500 mW ICM 800 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 60 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 30 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=10V 1.0 A ICEO VCB=10V 2.0 A IEBO VEB=4V 1.0 A VBEsat 1.2 IC=200mA V IB=20

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top