3DK2222A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DK2222A  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DK2222A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DK2222A даташит

 ..1. Size:954K  lge
 3dk2222a.pdf pdf_icon

3DK2222A

3DK2222A(NPN) TO-92 Bipolar Transistors TO-92 1. EMITTER 4.45 2. BASE 5.21 3. COLLECTOR 4.32 2.92 5.33 Features MIN Epitaxial planar die construction 3.43 MIN MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 2.41 2.67 Symbol Parameter Value Units 3.18 2.03 4.19 VCBO Collector-Base Voltage 75 V 2.67 1.14 VCEO Collector-Emitter Voltage 40 V 1.40 2.03 2.67

 ..2. Size:997K  lge
 3dk2222a sot-23.pdf pdf_icon

3DK2222A

3DK2222A SOT-23 Transistor(NPN) 1. BASE SOT-23 2.EMITTER 3.COLLECTOR Features Epitaxial planar die construction Complementary PNP Type available(MMBT2907A) MARKING 1P1 Dimensions in inches and (millimeters) MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 75 V VCEO 40 V Collector-Emitter Voltage VEBO 6 V

 7.1. Size:164K  china
 3dk2222.pdf pdf_icon

3DK2222A

3DK2222 NPN PCM TC=25 500 mW ICM 800 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 60 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 30 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=10V 1.0 A ICEO VCB=10V 2.0 A IEBO VEB=4V 1.0 A VBEsat 1.2 IC=200mA V IB=20

Другие транзисторы: 2SD0602, 2SD0602A, 2SD2098, 2SD2114, 2SD2142, 2SD2150, 2SD2413, 2SD965A, MPSA42, A1015, A42, A44, A733, A92, A94, B772, C1815