Справочник транзисторов. EMT1

 

Биполярный транзистор EMT1 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: EMT1
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT-563
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

EMT1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:95K  rohm
emt1 umt1n imt1a umt1n.pdfpdf_icon

EMT1

EMT1 / UMT1N / IMT1A Transistors General Purpose Transistor (Isolated Dual Transistors) EMT1 / UMT1N / IMT1A Dimensions (Unit : mm) Features 1) Two 2SA1037AK chips in a EMT or UMT or SMT EMT1 package. (6) (5) (4)2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automatic mounting machines. (1) (2) (3)3) Transistor elements are independent, Each lead has same dimens

 ..2. Size:2869K  rohm
emt1 umt1n imt1a.pdfpdf_icon

EMT1

EMT1 / UMT1N / IMT1ADatasheetGeneral purpose transistor (dual transistors)lOutlinelParameter Tr1 and Tr2 EMT6 UMT6VCEO-50VIC-150mA EMT1 UMT1NSC-107C SOT-363 SMT6lFeaturesl1)Two 2SA1037AK chips in a EMT, UMT or SMT package.IMT1A2)Mounting possible with EMT3, UMT3 orSOT-457 SMT3automati

 ..3. Size:643K  htsemi
emt1.pdfpdf_icon

EMT1

EMT1 General purpose transistors (dual digital transistors) SOT-563 FEATURES Two 2SA1037AK chips in a package Mounting possible with SOT-563 automatic mounting machines Transistor elements are independent,eliminating interference 1 Marking: T1 (3) (2) (1)Equivalent circuit Tr1Tr2(4) (5) (6) Absolute maximum ratings (Ta=25) Symbol Parameter Value UnitsVCBO

 0.1. Size:100K  philips
pemt1.pdfpdf_icon

EMT1

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETM3D744PEMT1PNP general purpose double transistorProduct data sheet 2001 Nov 07Supersedes data of 2001 Sep 25NXP Semiconductors Product data sheetPNP general purpose double transistor PEMT1FEATURES PINNING 300 mW total power dissipationPIN DESCRIPTION Very small 1.6 1.2 mm ultra thin package1, 4 emitter TR1; TR2 Self a

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: ZTX302M | NSVF4009SG4

 

 
Back to Top

 


 
.