Биполярный транзистор UMX18N - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: UMX18N
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 320 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 270
Корпус транзистора: SOT-363
UMX18N Datasheet (PDF)
emx18 umx18n.pdf
EMX18 / UMX18NDatasheetGeneral purpose transistor (dual transistors)lOutlinelParameter Tr1 and Tr2 SOT-563 SOT-363VCEO12VIC500mA EMX18 UMX18N(EMT6) (UMT6) lFeatures lInner circuitl l1)Two 2SC5585 chips in a EMT or UMT package.2)Mounting possible
umx18n.pdf
UMX18N Plastic-Encapsulated General Purpose Transistors (dual transistors) Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-363 FEATURES AE Two chips in a package. L Mounting possible with SOT-363 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference. B Mounting cost an
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050