UMX18N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UMX18N  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 320 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 270

Корпус транзистора: SOT-363

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для UMX18N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMX18N даташит

 ..1. Size:1343K  rohm
 emx18 umx18n.pdf pdf_icon

UMX18N

EMX18 / UMX18N Datasheet General purpose transistor (dual transistors) lOutline l Parameter Tr1 and Tr2 SOT-563 SOT-363 VCEO 12V IC 500mA EMX18 UMX18N (EMT6) (UMT6) lFeatures lInner circuit l l 1)Two 2SC5585 chips in a EMT or UMT package. 2)Mounting possible

 ..2. Size:465K  secos
 umx18n.pdf pdf_icon

UMX18N

UMX18N Plastic-Encapsulated General Purpose Transistors (dual transistors) Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-363 FEATURES A E Two chips in a package. L Mounting possible with SOT-363 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference. B Mounting cost an

Другие транзисторы: S9018T, SEMY1, SEMZ8, SS8050T, SS8050W, SS8550T, SS8550W, STB1277, TIP35C, 2SD2118, 3DD13005, B772C, BCP1213, BCP156, BCP157, BCP1766, BCP1898