UMX18N - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: UMX18N
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 320 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 270
Корпус транзистора: SOT-363
Аналоги (замена) для UMX18N
UMX18N - технические параметры
emx18 umx18n.pdf
EMX18 / UMX18N Datasheet General purpose transistor (dual transistors) lOutline l Parameter Tr1 and Tr2 SOT-563 SOT-363 VCEO 12V IC 500mA EMX18 UMX18N (EMT6) (UMT6) lFeatures lInner circuit l l 1)Two 2SC5585 chips in a EMT or UMT package. 2)Mounting possible
umx18n.pdf
UMX18N Plastic-Encapsulated General Purpose Transistors (dual transistors) Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-363 FEATURES A E Two chips in a package. L Mounting possible with SOT-363 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference. B Mounting cost an
Другие транзисторы... S9018T , SEMY1 , SEMZ8 , SS8050T , SS8050W , SS8550T , SS8550W , STB1277 , TIP35C , 2SD2118 , 3DD13005 , B772C , BCP1213 , BCP156 , BCP157 , BCP1766 , BCP1898 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor | 2sd330 | 20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166



