BCP1213 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BCP1213  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: SOT89

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BCP1213

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCP1213 даташит

 ..1. Size:590K  secos
 bcp1213.pdf pdf_icon

BCP1213

BCP1213 PNP Epitaxial Planar Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES SOT-89 The BCP1213 is designed for using in power amplifier applications A or power switching applications. E C MARKING B D Type Name hFE Ranking NY F G H K Millimeter Millimeter J L REF. REF. Min. Max. Min. Max.

Другие транзисторы: SS8050W, SS8550T, SS8550W, STB1277, UMX18N, 2SD2118, 3DD13005, B772C, TIP31, BCP156, BCP157, BCP1766, BCP1898, BCP195, BCP2098, BCP4672, BCP5401