MMUN2233 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MMUN2233  📄📄 

Маркировка: A8K

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.085

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MMUN2233

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMUN2233 даташит

 0.1. Size:115K  onsemi
nsvmmun2233lt3g.pdfpdf_icon

MMUN2233

MUN2233, MMUN2233L, MUN5233, DTC143ZE, DTC143ZM3, NSBC143ZF3 Digital Transistors (BRT) R1 = 4.7 kW, R2 = 47 kW www.onsemi.com NPN Transistors with Monolithic Bias PIN CONNECTIONS Resistor Network PIN 3 COLLECTOR This series of digital transistors is designed to replace a single (OUTPUT) PIN 1 device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1 BASE Transistor (BR

 0.2. Size:215K  onsemi
mmun2211lt1g mmun2211lt3g mmun2212lt1g mmun2213lt1g mmun2214lt1g mmun2215lt1g mmun2216lt1g mmun2230lt1g mmun2231lt1g mmun2232lt1g mmun2233lt1g mmun2234lt1g.pdfpdf_icon

MMUN2233

MMUN2211LT1G Series, SMMUN2211LT1G Series, NSVMMUN2232LT1G Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor http //onsemi.com with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single PIN 3 device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor COLLECTOR R1 (OUTPUT) Transistor) contains a single transistor

Другие транзисторы: MMUN2212, MMUN2213, MMUN2214, MMUN2215, MMUN2216, MMUN2230, MMUN2231, MMUN2232, BD136, MMUN2234, MMUN2235, MMUN2238, MMUN2241, MUN5111DW, MUN5112DW, MUN5113DW, MUN5114DW