2N5945 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N5945  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 470 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: 244-04

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N5945

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5945 даташит

 ..1. Size:208K  1
2n5944 2n5945 2n5946.pdfpdf_icon

2N5945

 ..2. Size:13K  advanced-semi
2n5945.pdfpdf_icon

2N5945

2N5945 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The ASI 2N5945 is Designed for FM Land Mobile Applications in the PACKAGE STYLE .280 4L STUD 400 to 960 MHz. A 45 FEATURES C Common Emitter B E E PG = 9.0 dB at 2.0 W/470 MHz B Omnigold Metalization System C D J E I MAXIMUM RATINGS F G IC 0.8 A H #8-32 UNC K VCBO 36 V MINIMUM

 9.1. Size:119K  1
2n5947.pdfpdf_icon

2N5945

 9.2. Size:63K  1
2n5944.pdfpdf_icon

2N5945

Другие транзисторы: 2N5939, 2N594, 2N5940, 2N5941, 2N5941T, 2N5942, 2N5943, 2N5944, 2SC4793, 2N5946, 2N5947, 2N595, 2N5954, 2N5955, 2N5956, 2N5957, 2N5958