2N5945 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: 2N5945 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 470 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20
Корпус транзистора: 244-04
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для 2N5945
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2N5945 даташит
2n5945.pdf
2N5945 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The ASI 2N5945 is Designed for FM Land Mobile Applications in the PACKAGE STYLE .280 4L STUD 400 to 960 MHz. A 45 FEATURES C Common Emitter B E E PG = 9.0 dB at 2.0 W/470 MHz B Omnigold Metalization System C D J E I MAXIMUM RATINGS F G IC 0.8 A H #8-32 UNC K VCBO 36 V MINIMUM
Другие транзисторы: 2N5939, 2N594, 2N5940, 2N5941, 2N5941T, 2N5942, 2N5943, 2N5944, 2SC4793, 2N5946, 2N5947, 2N595, 2N5954, 2N5955, 2N5956, 2N5957, 2N5958
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: MJE2523 | 2N4127 | 2SC5193 | MJF122 | PN3711
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
2n2147 | 2sc870 | 2sa771 | d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827






