Справочник транзисторов. KTB1124

 

Биполярный транзистор KTB1124 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KTB1124
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 39 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT-89
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

KTB1124 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:518K  kec
 ktb1124.pdf pdf_icon

KTB1124

SEMICONDUCTOR KTB1124TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORVOLTAGE REGULATORS, RELAY DRIVERS LAMP DRIVERS, ELECTRICAL EQUIPMENTFEATURESAdoption of MBIT processes.Low collector-to-emitter saturation voltage.Fast switching speed.Large current capacity and wide ASO.Complementary to KTD1624.MAXIMUM RATING (Ta=25 )CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITVCBO -60 VCollector

 9.1. Size:396K  kec
 ktb1151.pdf pdf_icon

KTB1124

SEMICONDUCTOR KTB1151TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORLOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGEALARGE CURRENT BDCEFEATURESFHigh Power Dissipation : PC=1.5W(Ta=25 )Complementary to KTD1691.GHDIM MILLIMETERSJA 8.3 MAXKB 5.8LMAXIMUM RATING (Ta=25 )C 0.7_+D 3.2 0.1CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITE 3.5_+F 11.0 0.3VCBO -60 VCollecto

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: PUMH7 | 2N3184 | BDW84C | KSD5041 | 3DD73 | 2NU74 | 2N3451

 

 
Back to Top

 


 
.