KTB1124 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KTB1124  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 39 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-89

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KTB1124

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTB1124 даташит

 ..1. Size:518K  kec
 ktb1124.pdf pdf_icon

KTB1124

SEMICONDUCTOR KTB1124 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR VOLTAGE REGULATORS, RELAY DRIVERS LAMP DRIVERS, ELECTRICAL EQUIPMENT FEATURES Adoption of MBIT processes. Low collector-to-emitter saturation voltage. Fast switching speed. Large current capacity and wide ASO. Complementary to KTD1624. MAXIMUM RATING (Ta=25 ) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT VCBO -60 V Collector

 9.1. Size:396K  kec
 ktb1151.pdf pdf_icon

KTB1124

SEMICONDUCTOR KTB1151 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE A LARGE CURRENT B D C E FEATURES F High Power Dissipation PC=1.5W(Ta=25 ) Complementary to KTD1691. G H DIM MILLIMETERS J A 8.3 MAX K B 5.8 L MAXIMUM RATING (Ta=25 ) C 0.7 _ + D 3.2 0.1 CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT E 3.5 _ + F 11.0 0.3 VCBO -60 V Collecto

Другие транзисторы: KTA708, KTA711E, KTA711T, KTA711U, KTA712E, KTA712U, KTA733, KTA733B, 2SD313, KTB1151, KTB1234T, KTB1241, KTB1260, KTB1772, KTB2234, KTB2510, KTB2530