KTB1124 Todos los transistores

 

KTB1124 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KTB1124
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 39 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT-89
 

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KTB1124 datasheet

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KTB1124

SEMICONDUCTOR KTB1124 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR VOLTAGE REGULATORS, RELAY DRIVERS LAMP DRIVERS, ELECTRICAL EQUIPMENT FEATURES Adoption of MBIT processes. Low collector-to-emitter saturation voltage. Fast switching speed. Large current capacity and wide ASO. Complementary to KTD1624. MAXIMUM RATING (Ta=25 ) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT VCBO -60 V Collector

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KTB1124

SEMICONDUCTOR KTB1151 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE A LARGE CURRENT B D C E FEATURES F High Power Dissipation PC=1.5W(Ta=25 ) Complementary to KTD1691. G H DIM MILLIMETERS J A 8.3 MAX K B 5.8 L MAXIMUM RATING (Ta=25 ) C 0.7 _ + D 3.2 0.1 CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT E 3.5 _ + F 11.0 0.3 VCBO -60 V Collecto

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