KTB1124 Todos los transistores

 

KTB1124 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KTB1124
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 39 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT-89
 

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KTB1124 Datasheet (PDF)

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KTB1124

SEMICONDUCTOR KTB1124TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORVOLTAGE REGULATORS, RELAY DRIVERS LAMP DRIVERS, ELECTRICAL EQUIPMENTFEATURESAdoption of MBIT processes.Low collector-to-emitter saturation voltage.Fast switching speed.Large current capacity and wide ASO.Complementary to KTD1624.MAXIMUM RATING (Ta=25 )CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITVCBO -60 VCollector

 9.1. Size:396K  kec
 ktb1151.pdf pdf_icon

KTB1124

SEMICONDUCTOR KTB1151TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORLOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGEALARGE CURRENT BDCEFEATURESFHigh Power Dissipation : PC=1.5W(Ta=25 )Complementary to KTD1691.GHDIM MILLIMETERSJA 8.3 MAXKB 5.8LMAXIMUM RATING (Ta=25 )C 0.7_+D 3.2 0.1CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITE 3.5_+F 11.0 0.3VCBO -60 VCollecto

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History: 2N1900 | TI610 | 2SC1181 | 2SC3361 | KT911A

 

 
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