KTB772 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: KTB772 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 55 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: TO126
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для KTB772
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KTB772 даташит
ktb772.pdf
SEMICONDUCTOR KTB772 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER A LOW SPEED SWITCHING B D C E FEATURES F Complementary to KTD882. G H DIM MILLIMETERS J A 8.3 MAX MAXIMUM RATING (Ta=25 ) K B 5.8 L C 0.7 CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT _ + D 3.2 0.1 E 3.5 VCBO -40 V Collector-Base Voltage _ + F 11.0 0.3 G 2.9 MAX VCEO -30 V
ktb778.pdf
SEMICONDUCTOR KTB778 TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION. DIM MILLIMETERS FEATURES A 16.30 MAX A C _ + B 12.00 0.30 R Complementary to KTD998. _ + C 5.50 0.20 W W U D 1.20 MAX Recommended for 45 50W Audio Frequency E 8.00 V F 5.00 Amplifier Output Stage. _ + G 17.00 0.30 H 0.60+0.15/-0.10 I 2.50 _ + J 20.0 0.1 I M
ktb778.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor KTB778 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -120V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Complement to Type KTD998 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High power amplifier applications Recommend for 45-50W audio frequency amplifier output stage applications ABSOL
Другие транзисторы: KTB1772, KTB2234, KTB2510, KTB2530, KTB598, KTB631K, KTB688B, KTB764, D880, KTB817B, KTB985, KTC1815, KTC2020D, KTC2020L, KTC2022D, KTC2022L, KTC2025D
History: CS1909
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
647 transistor | d525 transistor | 2sc1583 | g60t60an3h | mosfet k8a50d | sl100 transistor | d2499 datasheet | 6r190p6 datasheet


