KTB772 Todos los transistores

 

KTB772 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KTB772
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 55 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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KTB772 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:396K  kec
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KTB772

SEMICONDUCTOR KTB772TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORAUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER ALOW SPEED SWITCHING BDCEFEATURESFComplementary to KTD882.GHDIM MILLIMETERSJA 8.3 MAXMAXIMUM RATING (Ta=25 )KB 5.8LC 0.7CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT_+D 3.2 0.1E 3.5VCBO -40 VCollector-Base Voltage_+F 11.0 0.3G 2.9 MAXVCEO -30 V

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KTB772

SEMICONDUCTOR KTB778TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTORHIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION.DIM MILLIMETERSFEATURES A 16.30 MAXA C_+B 12.00 0.30RComplementary to KTD998._+C 5.50 0.20WWU D 1.20 MAXRecommended for 4550W Audio Frequency E 8.00VF 5.00Amplifier Output Stage._+G 17.00 0.30H 0.60+0.15/-0.10I 2.50_+J 20.0 0.1IM

 9.2. Size:225K  inchange semiconductor
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KTB772

isc Silicon PNP Power Transistor KTB778DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -120V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type KTD998Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh power amplifier applicationsRecommend for 45-50W audio frequency amplifieroutput stage applicationsABSOL

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History: KTA1276 | CSC3420 | 2SD1650 | BRT818B | 2N3905 | FJV3115R | 2SA1806

 

 
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