KTC601E. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: KTC601E
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120
Корпус транзистора: TESV
Аналоги (замена) для KTC601E
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KTC601E даташит
ktc601e.pdf
SEMICONDUCTOR KTC601E TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. B B1 FEATURES A super-minimold package houses 2 transistor. Excellent temperature response between these 2 transistor. 1 5 DIM MILLIMETERS _ A 1.6 0.05 + High pairing property in hFE. _ + A1 1.0 0.05 2 _ + B 1.6 0.05 The follwing characteristics are commo
ktc601u.pdf
SEMICONDUCTOR KTC601U TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. B FEATURES B1 A super-minimold package houses 2 transistor. 1 5 DIM MILLIMETERS _ Excellent temperature response between these 2 transistor. A 2.00 + 0.20 2 _ A1 1.3 + 0.1 High pairing property in hFE. _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 The follwin
ktc601f.pdf
SEMICONDUCTOR KTC601F TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. TENTATIVE FEATURES Thin fine pitch super mini 5pin. Excellent temperature response between these 2 transistor. High pairing property in hFE. The follwing characteristics are common for Q1, Q2. MAXIMUM RATING (Ta=25 ) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT VCB
ktc601u.pdf
SMD Type Transistors NPN Transistors KTC601U SOT-353 Unit mm 1.3+0.1 -0.1 0.65 Features Excellent temperature response between these 2 transistor. High pairing property in hFE. The follwing characteristics are common for Q1, Q2. +0.1 +0.05 0.1-0.02 0.3 -0.1 +0.1 2.1-0.1 5 4 1. Q1 BASE 2. Q , Q EMITTER 1 2 3. Q BASE 2 4. Q COLLECTOR 2 5. Q COLLECTOR
Другие транзисторы: KTC5197, KTC5242, KTC5242A, KTC5706, KTC5706D, KTC5706L, KTC5707D, KTC5707L, 2SD669A, KTC601F, KTC601UGR, KTC611T, KTC801E, KTC801F, KTC801U, KTC802E, KTC8050S
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n1306 transistor | 2sa750 datasheet | 2sa940 transistor datasheet | 2sb549 | 5n50 mosfet equivalent | a1016 transistor | a1693 transistor | a933 datasheet




