2N599 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N599  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 75

Корпус транзистора: TO5

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N599

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N599 даташит

 0.1. Size:769K  motorola
 2n5986-89 2n5991.pdf pdf_icon

2N599

 0.2. Size:117K  jmnic
 2n5989 2n5990 2n5991.pdf pdf_icon

2N599

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2N5989 2N5990 2N5991 DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type 2N5986 2N5987 2N5988 Low collector-emitter saturation voltage APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier and switching circuits. PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3

 0.3. Size:1285K  sprague
 2n5419 2n5420 2n5550 2n5551 2n5830 2n5831 2n5832 2n5998 2n5999 2n6008 2n6009 2n6076 2n6426 2n6427.pdf pdf_icon

2N599

 0.4. Size:122K  inchange semiconductor
 2n5989 2n5990 2n5991.pdf pdf_icon

2N599

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N5989 2N5990 2N5991 DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type 2N5986/5987/5988 Low collector saturation voltage APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier and switching circuits. PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N5982, 2N5983, 2N5984, 2N5985, 2N5986, 2N5987, 2N5988, 2N5989, 2SC2383, 2N5990, 2N5991, 2N5992, 2N5993, 2N5994, 2N5995, 2N5996, 2N5998