KRA522T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KRA522T  📄📄 

Маркировка: PB

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 2.2 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 39

Корпус транзистора: TSV

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KRA522T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KRA522T даташит

 9.1. Size:67K  kec
 kra521t-kra526t.pdf pdf_icon

KRA522T

SEMICONDUCTOR KRA521T KRA526T TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPPLICATION. E B FEATURES DIM MILLIMETERS _ A 2.9 + 0.2 15 With Built-in Bias Resistors. B 1.6+0.2/-0.1 _ C 0.70 + 0.05 Simplify Circuit Design. 2 _ D 0.4 + 0.1 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. E 2.8+

Другие транзисторы: KRA351, KRA352, KRA353, KRA354, KRA355, KRA356, KRA357, KRA521T, 2N2222, KRA523T, KRA524T, KRA525T, KRA526T, KRA551E, KRA551F, KRA551U, KRA552E