2N5999 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N5999

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 2N5999

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5999 даташит

 ..1. Size:1285K  sprague
 2n5419 2n5420 2n5550 2n5551 2n5830 2n5831 2n5832 2n5998 2n5999 2n6008 2n6009 2n6076 2n6426 2n6427.pdf pdf_icon

2N5999

 9.1. Size:769K  motorola
 2n5986-89 2n5991.pdf pdf_icon

2N5999

 9.2. Size:117K  jmnic
 2n5989 2n5990 2n5991.pdf pdf_icon

2N5999

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2N5989 2N5990 2N5991 DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type 2N5986 2N5987 2N5988 Low collector-emitter saturation voltage APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier and switching circuits. PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3

 9.3. Size:122K  inchange semiconductor
 2n5989 2n5990 2n5991.pdf pdf_icon

2N5999

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N5989 2N5990 2N5991 DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type 2N5986/5987/5988 Low collector saturation voltage APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier and switching circuits. PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N5990, 2N5991, 2N5992, 2N5993, 2N5994, 2N5995, 2N5996, 2N5998, MJE350, 2N59A, 2N59B, 2N59C, 2N60, 2N600, 2N6000, 2N6001, 2N6002