KRC422E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KRC422E  📄📄 

Маркировка: N9

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 100 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 100 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 62

Корпус транзистора: ESM

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KRC422E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KRC422E даташит

 0.1. Size:68K  kec
 krc416e-krc422e.pdf pdf_icon

KRC422E

SEMICONDUCTOR KRC416E KRC422E EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION E FEATURES B DIM MILLIMETERS With Built-in Bias Resistors. _ + A 1.60 0.10 D Simplify Circuit Design. _ + 2 B 0.85 0.10 _ + C 0.70 0.10 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 3 1 D 0.27+0.10/-0.05 _ +

 8.1. Size:68K  kec
 krc416v-krc422v.pdf pdf_icon

KRC422E

SEMICONDUCTOR KRC416V KRC422V EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION E FEATURES B With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. DIM MILLIMETERS 2 _ Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. A 1.2 +0.05 _ B 0.8 +0.05 1 3 _ C 0.5 + 0.05 _ D 0.3 + 0.05 _ E 1.2 + 0.05 _

 8.2. Size:390K  kec
 krc416-krc422.pdf pdf_icon

KRC422E

SEMICONDUCTOR KRC416 KRC422 EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION E FEATURES M B M With Built-in Bias Resistors. DIM MILLIMETERS _ + A 2.00 0.20 D Simplify Circuit Design. 2 _ + B 1.25 0.15 _ + C 0.90 0.10 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 3 1 D 0.3+0.10/-0.05 _

Другие транзисторы: KRC419V, KRC420, KRC420E, KRC420V, KRC421, KRC421E, KRC421V, KRC422, A1013, KRC422V, KRC451, KRC452, KRC453, KRC454, KRC455, KRC456, KRC457