Биполярный транзистор KRC645T - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KRC645T
Маркировка: NE
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 56
Корпус транзистора: TSV
KRC645T Datasheet (PDF)
9.1. Size:68K kec
krc641t-krc646t.pdf
krc641t-krc646t.pdf
SEMICONDUCTOR KRC641T~KRC646TTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORHIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION.INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPPLICATION.EBFEATURES DIM MILLIMETERS_A 2.9 + 0.215With Built-in Bias Resistors.B 1.6+0.2/-0.1_C 0.70 + 0.05Simplify Circuit Design.2_D 0.4 + 0.1Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.E 2.8+
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050