KRC645T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KRC645T  📄📄 

Маркировка: NE

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 56

Корпус транзистора: TSV

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KRC645T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KRC645T даташит

 9.1. Size:68K  kec
 krc641t-krc646t.pdf pdf_icon

KRC645T

SEMICONDUCTOR KRC641T KRC646T TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPPLICATION. E B FEATURES DIM MILLIMETERS _ A 2.9 + 0.2 15 With Built-in Bias Resistors. B 1.6+0.2/-0.1 _ C 0.70 + 0.05 Simplify Circuit Design. 2 _ D 0.4 + 0.1 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. E 2.8+

Другие транзисторы: KRC454, KRC455, KRC456, KRC457, KRC641T, KRC642T, KRC643T, KRC644T, TIP2955, KRC646T, KRC651E, KRC651F, KRC651U, KRC652E, KRC652F, KRC652U, KRC653E