KRC656E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KRC656E  📄📄 

Маркировка: NF

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: TESV

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KRC656E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KRC656E даташит

 0.1. Size:70K  kec
 krc651e-krc656e.pdf pdf_icon

KRC656E

SEMICONDUCTOR KRC651E KRC656E TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. 1 5 DIM MILLIMETERS _ A 1.6 0.05 + Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ + A1 1.0 0.05 2 _ + B 1.6 0.05 High Packing Density. _

 8.1. Size:427K  kec
 krc651u-krc656u.pdf pdf_icon

KRC656E

SEMICONDUCTOR KRC651U KRC656U TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES B1 With Built-in Bias Resistors. 1 5 DIM MILLIMETERS _ Simplify Circuit Design. A 2.00 + 0.20 2 _ A1 1.3 + 0.1 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 High Pa

 9.1. Size:49K  kec
 krc657u-krc659u.pdf pdf_icon

KRC656E

SEMICONDUCTOR KRC657U KRC659U TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. 1 5 DIM MILLIMETERS _ A 2.00 + 0.20 Simplify Circuit Design. 2 _ A1 1.3 + 0.1 _ B 2.1 + 0.1 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 C 0.65 D 0.

 9.2. Size:49K  kec
 krc657e-krc659e.pdf pdf_icon

KRC656E

SEMICONDUCTOR KRC657E KRC659E TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. 1 5 DIM MILLIMETERS Simplify Circuit Design. _ A 1.6 0.05 + Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ + A1 1.0 0.05 2 _ + B 1.6 0.05 High Packing Density. _

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KRC653E, KRC653F, KRC653U, KRC654E, KRC654F, KRC654U, KRC655E, KRC655U, MJE350, KRC656U, KRC657E, KRC657F, KRC657U, KRC658E, KRC658F, KRC658U, KRC659E