KRC670E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KRC670E  📄📄 

Маркировка: N7

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 2.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 24

Корпус транзистора: TESV

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KRC670E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KRC670E даташит

 9.1. Size:69K  kec
 krc666e-krc672e.pdf pdf_icon

KRC670E

SEMICONDUCTOR KRC666E KRC672E EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. 1 5 DIM MILLIMETERS _ A 1.6 0.05 + Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ + A1 1.0 0.05 2 _ + B 1.6 0.05 _ + B1 1.2 0.05 C 0.50 3

 9.2. Size:428K  kec
 krc666u-krc672u.pdf pdf_icon

KRC670E

SEMICONDUCTOR KRC666U KRC672U EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION B FEATURES B1 With Built-in Bias Resistors. 1 5 DIM MILLIMETERS _ Simplify Circuit Design. A 2.00 + 0.20 2 _ A1 1.3 + 0.1 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 C 0.65 D

Другие транзисторы: KRC666E, KRC666U, KRC667E, KRC667U, KRC668E, KRC668U, KRC669E, KRC669U, TIP3055, KRC670U, KRC671E, KRC671U, KRC672E, KRC672U, KRC681T, KRC682T, KRC683T