KRC683T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KRC683T  📄📄 

Маркировка: MSB

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 5.6 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 25 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 350

Корпус транзистора: TSV

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KRC683T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KRC683T даташит

 9.1. Size:357K  kec
 krc681t-krc686t.pdf pdf_icon

KRC683T

SEMICONDUCTOR KRC681T KRC686T TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. AUDIO MUTING APPLICATION. E B FEATURES DIM MILLIMETERS _ A 2.9 + 0.2 15 High emitter-base voltage VEBO=25V(Min) B 1.6+0.2/-0.1 _ C 0.70 + 0.05 High reverse hFE reverse hFE=150(Typ.) (VCE=-2V, IC=-4mA) 2 _ D 0.4 + 0.1 Low on resistance Ron=1 (Typ.) (IB=5mA) E 2.8+

Другие транзисторы: KRC670E, KRC670U, KRC671E, KRC671U, KRC672E, KRC672U, KRC681T, KRC682T, 2N2222A, KRC684T, KRC685T, KRC686T, KRC821E, KRC821F, KRC821U, KRC822E, KRC822F