KRC826E - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

KRC826E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KRC826E
   Маркировка: YF
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: TES6

 Аналоги (замена) для KRC826E

 

KRC826E Datasheet (PDF)

 0.1. Size:72K  kec
krc821e-krc826e.pdfpdf_icon

KRC826E

SEMICONDUCTOR KRC821E KRC826E TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. 1 6 DIM MILLIMETERS Simplify Circuit Design. _ A 1.6 + 0.05 _ A1 1.0 + 0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 5 2 _ B 1.6 + 0.05 _ B1 1.2 + 0.05 High Packing Densit

 8.1. Size:70K  kec
krc821u-krc826u.pdfpdf_icon

KRC826E

SEMICONDUCTOR KRC821U KRC826U TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES B1 With Built-in Bias Resistors. DIM MILLIMETERS 1 6 _ Simplify Circuit Design. A 2.00 + 0.20 _ 2 5 A1 1.3 + 0.1 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 High

 9.1. Size:49K  kec
krc827e-krc829e.pdfpdf_icon

KRC826E

SEMICONDUCTOR KRC827E KRC829E EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. B INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. 1 6 DIM MILLIMETERS _ A 1.6 + 0.05 Simplify Circuit Design. _ A1 1.0 + 0.05 2 5 _ B 1.6 + 0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ B1 1.2 + 0.05 High Packing De

 9.2. Size:391K  kec
krc827f-krc829f.pdfpdf_icon

KRC826E

SEMICONDUCTOR KRC827F KRC829F EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES 1 6 With Built-in Bias Resistors. DIM MILLIMETERS Simplify Circuit Design. _ 2 5 + A 1.0 0.05 _ + A1 0.7 0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ + B 1.0 0.05 3 _ + High Packing

Другие транзисторы... KRC823E , KRC823F , KRC823U , KRC824E , KRC824F , KRC824U , KRC825E , KRC825U , BD135 , KRC826U , KRC827E , KRC827F , KRC827U , KRC828E , KRC828F , KRC828U , KRC829E .

History: MPQ2219A | BFV85B | 2SC4807

 

 
Back to Top

 


 
.