KRC884T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KRC884T  📄📄 

Маркировка: MTB

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 6.8 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 25 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 350

Корпус транзистора: TS6

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KRC884T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KRC884T даташит

 9.1. Size:386K  kec
 krc881t-krc886t.pdf pdf_icon

KRC884T

SEMICONDUCTOR KRC881T KRC886T TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. AUDIO MUTING APPLICATION. E K B K FEATURES DIM MILLIMETERS _ High emitter-base voltage VEBO=25V(Min) A 2.9 + 0.2 16 B 1.6+0.2/-0.1 High reverse hFE reverse hFE=150(Typ.) (VCE=-2V, IC=-4mA) _ C 0.70 0.05 + 2 5 _ + D 0.4 0.1 Low on resistance Ron=1 (Typ.) (IB=5mA) E 2.8

Другие транзисторы: KRC870U, KRC871E, KRC871U, KRC872E, KRC872U, KRC881T, KRC882T, KRC883T, 8050, KRC885T, KRC886T, KRX101E, KRX101U, KRX102E, KRX102F, KRX102U, KRX103E