Биполярный транзистор KRX102E Даташит. Аналоги
Наименование производителя: KRX102E
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: TESV
- подбор биполярного транзистора по параметрам
KRX102E Datasheet (PDF)
krx102e.pdf

KRX102ESEMICONDUCTOREPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTORTECHNICAL DATASWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION.BB1FEATURESIncluding two devices in TESV.(Thin Extreme Super mini type with 5 pin.)1 5 DIM MILLIMETERS_A 1.6 0.05+With Built-in bias resistors. _+A1 1.0 0.052_+B 1.6 0.05Simplify circuit design. _+B1 1.2
krx102u.pdf

KRX102USEMICONDUCTOREPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTORTECHNICAL DATASWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION.BFEATURES B1Including two devices in USV.1 5DIM MILLIMETERS_(Ultra Super mini type with 5 leads.) A 2.00 + 0.202 _A1 1.3 + 0.1With Built-in bias resistors. _B 2.1 + 0.13 4 D_B1 1.25 + 0.1Simplify circuit desi
krx102f.pdf

KRX102FSEMICONDUCTOREPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTORTECHNICAL DATASWITCHING APPLICATION. BINTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION.B1FEATURES1 5Including two devices in TFSV.DIM MILLIMETERS(Thin Fine Pitch Super mini 5pin Package.)2 _+A 1.0 0.05_+A1 0.7 0.05With Built-in bias resistors. _+B 1.0 0.053_Simplify circuit design. 4+B1
krx101u.pdf

KRX101USEMICONDUCTORTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION.BFEATURES B1Including two devices in USV.1 5DIM MILLIMETERS_(Ultra Super mini type with 5 leads.) A 2.00 + 0.202 _A1 1.3 + 0.1With Built-in bias resistors. _B 2.1 + 0.13 4 D_B1 1.25 + 0.1Simplify circuit design. C
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2SB1409SD | KSA539 | MD1131 | 2N5176 | PMD1602K | 2N5217 | NSVMMBT5087LT1G
History: 2SB1409SD | KSA539 | MD1131 | 2N5176 | PMD1602K | 2N5217 | NSVMMBT5087LT1G



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
k2645 | tip3055 equivalent | 3sk73 | 13n10 mosfet | 2n3565 transistor | datasheet irfz44n | 2sd1047 transistor | mj802