KTX212E - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

KTX212E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KTX212E
   Маркировка: BG
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 2.2 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50(12) V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1(0.5) A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 320(250) MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20(270)
   Корпус транзистора: TES6

 Аналоги (замена) для KTX212E

 

KTX212E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:51K  kec
ktx212e.pdfpdf_icon

KTX212E

KTX212E SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES Including two devices in TES6. 1 6 DIM MILLIMETERS (Thin Extreme Super mini type with 6 leads.) _ A 1.6 + 0.05 _ A1 1.0 + 0.05 With Built-in bias resistors. 2 5 _ B 1.6 + 0.05 _ B1 1.2 + 0.05 Simplify circuit design. C

 8.1. Size:51K  kec
ktx212u.pdfpdf_icon

KTX212E

KTX212U SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES B1 Including two devices in US6. DIM MILLIMETERS 1 6 _ (Ultra Super mini type with 6 leads.) A 2.00 + 0.20 _ 2 5 A1 1.3 + 0.1 With Built-in bias resistors. _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 Simplify circuit design. C 0

 9.1. Size:52K  kec
ktx213e.pdfpdf_icon

KTX212E

KTX213E SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP/NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES Including two devices in TES6. 1 6 DIM MILLIMETERS (Thin Extreme Super mini type with 6 leads.) _ A 1.6 + 0.05 _ A1 1.0 + 0.05 With Built-in bias resistors. 2 5 _ B 1.6 + 0.05 _ B1 1.2 + 0.05 Simplify circuit design.

 9.2. Size:52K  kec
ktx213u.pdfpdf_icon

KTX212E

KTX213U SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP/NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES B1 Including two devices in US6. DIM MILLIMETERS 1 6 _ (Ultra Super mini type with 6 leads.) A 2.00 + 0.20 _ 2 5 A1 1.3 + 0.1 With Built-in bias resistors. _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 Simplify circuit design.

Другие транзисторы... KRX209E , KRX209U , KRX210E , KRX211U , KRX212U , KRX214U , KTX211E , KTX211U , 2SC828 , KTX212U , KTX213E , KTX213U , KTX214E , KTX214U , KTX215U , KRC231M , KRC231S .

History: 2SD1748 | AC155

 

 
Back to Top

 


 
.