KTX213E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KTX213E  📄📄 

Маркировка: BH

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50(12) V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1(0.5) A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200(260) MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20(270)

Корпус транзистора: TES6

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KTX213E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTX213E даташит

 ..1. Size:52K  kec
 ktx213e.pdf pdf_icon

KTX213E

KTX213E SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP/NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES Including two devices in TES6. 1 6 DIM MILLIMETERS (Thin Extreme Super mini type with 6 leads.) _ A 1.6 + 0.05 _ A1 1.0 + 0.05 With Built-in bias resistors. 2 5 _ B 1.6 + 0.05 _ B1 1.2 + 0.05 Simplify circuit design.

 8.1. Size:52K  kec
 ktx213u.pdf pdf_icon

KTX213E

KTX213U SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP/NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES B1 Including two devices in US6. DIM MILLIMETERS 1 6 _ (Ultra Super mini type with 6 leads.) A 2.00 + 0.20 _ 2 5 A1 1.3 + 0.1 With Built-in bias resistors. _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 Simplify circuit design.

 9.1. Size:817K  kec
 ktx211e.pdf pdf_icon

KTX213E

KTX211E SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP/NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES Including two devices in TES6. 1 6 DIM MILLIMETERS (Thin Extreme Super mini type with 6 leads.) _ A 1.6 + 0.05 _ A1 1.0 + 0.05 With Built-in bias resistors. 2 5 _ B 1.6 + 0.05 _ B1 1.2 + 0.05 Simplify circuit d

 9.2. Size:51K  kec
 ktx214e.pdf pdf_icon

KTX213E

KTX214E SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES Including two devices in TES6. 1 6 DIM MILLIMETERS (Thin Extreme Super mini type with 6 leads.) _ A 1.6 + 0.05 _ A1 1.0 + 0.05 With Built-in bias resistors. 2 5 _ B 1.6 + 0.05 _ B1 1.2 + 0.05 Simplify circuit design. C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KRX210E, KRX211U, KRX212U, KRX214U, KTX211E, KTX211U, KTX212E, KTX212U, S9018, KTX213U, KTX214E, KTX214U, KTX215U, KRC231M, KRC231S, KRC232M, KRC232S