KRC231S - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

KRC231S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KRC231S
   Маркировка: NW
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для KRC231S

 

KRC231S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:952K  kexin
krc231s.pdfpdf_icon

KRC231S

SMD Type Transistors NPN Transistors KRC231S KRC235S SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features With Built-in Bias Resistors. C Simplify Circuit Design. 1 2 +0.1 +0.05 0.95-0.1 0.1-0.01 R 1 +0.1 1.9-0.1 B 1.Base 2.Emitter E 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 30 C

 0.1. Size:374K  kec
krc231s-krc235s.pdfpdf_icon

KRC231S

SEMICONDUCTOR KRC231S KRC235S TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. AUDIO MUTING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER E L B L CIRCUIT APPLICATION. DIM MILLIMETERS _ + A 2.93 0.20 B 1.30+0.20/-0.15 FEATURES C 1.30 MAX 2 3 D 0.40+0.15/-0.05 With Built-in Bias Resistors. E 2.40+0.30/-0.20 1 G 1.90 Simplify Circuit Design. H 0.95 R

 8.1. Size:73K  kec
krc231m-krc235m.pdfpdf_icon

KRC231S

SEMICONDUCTOR KRC231M KRC235M TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. AUDIO MUTING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER B CIRCUIT APPLICATION. DIM MILLIMETERS O FEATURES A 3.20 MAX H M B 4.30 MAX With Built-in Bias Resistors. C 0.55 MAX _ Simplify Circuit Design. D 2.40 + 0.15 E 1.27 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.

 8.2. Size:484K  kec
krc231m-krc235m 1.pdfpdf_icon

KRC231S

SEMICONDUCTOR KRC231M KRC235M TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. AUDIO MUTING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER B CIRCUIT APPLICATION. DIM MILLIMETERS O FEATURES A 3.20 MAX H M B 4.30 MAX With Built-in Bias Resistors. C 0.55 MAX _ Simplify Circuit Design. D 2.40 + 0.15 E 1.27 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Proces

Другие транзисторы... KTX212E , KTX212U , KTX213E , KTX213U , KTX214E , KTX214U , KTX215U , KRC231M , B647 , KRC232M , KRC232S , KRC233M , KRC233S , KRC234S , KRC235M , KRC235S , KRC281M .

History: NTE2352 | KRA738E | KRC420 | KRC405 | KRA739E | KRC231M | KT630G

 

 
Back to Top

 


 
.