2SC1623QLT1 - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор 2SC1623QLT1 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: 2SC1623QLT1
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT-23

Аналоги (замена) для 2SC1623QLT1

2SC1623QLT1 Datasheet (PDF)

0.1. Size:318K lrc
l2sc1623qlt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsL2SC1623QLT1GPb-Free package is availableS- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site Seriesand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.S-L2SC1623QLT1GSeriesDEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION3Device Marking Shipping L2SC1623QLT1GL5 3000/Tape&ReelS-L2SC1623QLT1G

0.2. Size:282K lrc
l2sc1623qlt3g l2sc1623rlt3g l2sc1623slt3g l2sc1623qlt1g l2sc1623rlt1g l2sc1623slt1g.pdf