MMBTH10LT1. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: MMBTH10LT1
Маркировка: 3EM
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 650 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60
Корпус транзистора: SOT-23
Аналоги (замена) для MMBTH10LT1
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
MMBTH10LT1 даташит
mmbth10lt1 mmbth10-4lt1.pdf
MMBTH10LT1G, MMBTH10-4LT1G VHF/UHF Transistor NPN Silicon Features http //onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS COLLECTOR Compliant 3 1 MAXIMUM RATINGS BASE Rating Symbol Value Unit 2 Collector-Emitter Voltage VCEO 25 Vdc EMITTER Collector-Base Voltage VCBO 30 Vdc Emitter-Base Voltage VEBO 3.0 Vdc 3 THERMAL CHARACTERISTICS 1 Character
mmbth10lt1.pdf
FM120-M WILLAS THRU MMBTH10LT1 VHF/UHF Transistors FM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200V SOD-123 PACKAGE Pb Free Product Package outline Features Batch process design, excellent power dissipation offers better reverse leakage current and thermal resistance. compliance with RoHS requirements. We declare that the material of product SOD-123H
mmbth10lt1.pdf
Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-23 MMBTH10LT1 TRANSISTOR (NPN) 1. BASE 2. EMITTER FEATURES 3. COLLECTOR Power dissipation 2. 4 PCM 0.225 W (Tamb=25 ) 1. 3 Collector current ICM 0.05 A Collector-base voltage V(BR)CBO 30 V Operating and storage junction temperature range Unit mm TJ,
mmbth10lt1rev0d.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBTH10LT1/D MMBTH10LT1 VHF/UHF Transistor COLLECTOR NPN Silicon Motorola Preferred Device 3 1 BASE 3 2 1 EMITTER 2 CASE 318-08, STYLE 6 SOT-23 (TO-236AB) MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Collector Emitter Voltage VCEO 25 Vdc Collector Base Voltage VCBO 30 Vdc Emitter Base Voltage VEBO 3.0 Vdc DEVI
Другие транзисторы: MMBT3906DW1T1, MMBT3906TT1, MMBT3906WT1, MMBT3946DW1T1, MMBT4403WT1, MMBT5551DW1T1, MMBT5551WT1, MMBTA94LT1, 2N2222, H2584, H2N3904, H2N3906, H2N4401, H2N4403, H2N5087, H2N5401, H2N5551
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet | mp10b transistor | bc182b | 2n3054 transistor equivalent | 2n554








