MMBTH10LT1 - описание и поиск аналогов

 

MMBTH10LT1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMBTH10LT1

Маркировка: 3EM

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 650 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для MMBTH10LT1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBTH10LT1 даташит

 ..1. Size:123K  onsemi
mmbth10lt1 mmbth10-4lt1.pdfpdf_icon

MMBTH10LT1

MMBTH10LT1G, MMBTH10-4LT1G VHF/UHF Transistor NPN Silicon Features http //onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS COLLECTOR Compliant 3 1 MAXIMUM RATINGS BASE Rating Symbol Value Unit 2 Collector-Emitter Voltage VCEO 25 Vdc EMITTER Collector-Base Voltage VCBO 30 Vdc Emitter-Base Voltage VEBO 3.0 Vdc 3 THERMAL CHARACTERISTICS 1 Character

 ..2. Size:445K  willas
mmbth10lt1.pdfpdf_icon

MMBTH10LT1

FM120-M WILLAS THRU MMBTH10LT1 VHF/UHF Transistors FM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200V SOD-123 PACKAGE Pb Free Product Package outline Features Batch process design, excellent power dissipation offers better reverse leakage current and thermal resistance. compliance with RoHS requirements. We declare that the material of product SOD-123H

 ..3. Size:1201K  shenzhen
mmbth10lt1.pdfpdf_icon

MMBTH10LT1

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-23 MMBTH10LT1 TRANSISTOR (NPN) 1. BASE 2. EMITTER FEATURES 3. COLLECTOR Power dissipation 2. 4 PCM 0.225 W (Tamb=25 ) 1. 3 Collector current ICM 0.05 A Collector-base voltage V(BR)CBO 30 V Operating and storage junction temperature range Unit mm TJ,

 0.1. Size:88K  motorola
mmbth10lt1rev0d.pdfpdf_icon

MMBTH10LT1

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBTH10LT1/D MMBTH10LT1 VHF/UHF Transistor COLLECTOR NPN Silicon Motorola Preferred Device 3 1 BASE 3 2 1 EMITTER 2 CASE 318-08, STYLE 6 SOT-23 (TO-236AB) MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Collector Emitter Voltage VCEO 25 Vdc Collector Base Voltage VCBO 30 Vdc Emitter Base Voltage VEBO 3.0 Vdc DEVI

Другие транзисторы: MMBT3906DW1T1, MMBT3906TT1, MMBT3906WT1, MMBT3946DW1T1, MMBT4403WT1, MMBT5551DW1T1, MMBT5551WT1, MMBTA94LT1, 2N2222, H2584, H2N3904, H2N3906, H2N4401, H2N4403, H2N5087, H2N5401, H2N5551

 

 

 

 

↑ Back to Top
.