HM92 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HM92  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: SOT-89

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для HM92

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HM92 даташит

 ..1. Size:37K  hsmc
 hm92.pdf pdf_icon

HM92

Spec. No. HE9509 HI-SINCERITY Issued Date 1996.04.09 Revised Date 2004.12.21 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HM92 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HM92 is designed for application as a video output to drive color CRT, or as a dialer circuit in electronics telephone. SOT-89 Absolute Maximum Ratings Maximum Temperatures Storage Temperature ............

 0.1. Size:94K  international rectifier
 irhm9230.pdf pdf_icon

HM92

Provisional Data Sheet No. PD-9.1395 I T TI T T T I T Product Summary -200 Volt, 0.8 RAD HARD HEXFET , International Rectifier s P-Channel RAD HARD technology Part Number BVDSS RDS(on) ID HEXFETs demonstrate excellent threshold voltage stability and breakdown voltage stability at total radiation doses as IRHM9230 -200V 0.8 -6.5A high as 105 Rads (Si).

 0.2. Size:237K  international rectifier
 irhm9064 irhm9160 irhm9260.pdf pdf_icon

HM92

The documentation and process conversion measures INCH-POUND necessary to comply with this document shall be MIL-PRF-19500/660E completed by 6 February 2014. 6 December 2013 SUPERSEDING MIL-PRF-19500/660D 11 February 2013 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET SEMICONDUCTOR DEVICE, FIELD EFFECT RADIATION HARDENED TRANSISTOR, P-CHANNEL SILICON, TYPES 2N7424, 2N7425, AND 2N7426

 0.3. Size:117K  international rectifier
 irhm9250.pdf pdf_icon

HM92

PD - 91299C IRHM9250 JANSR2N7423 RADIATION HARDENED 200V, P-CHANNEL POWER MOSFET REF MIL-PRF-19500/662 THRU-HOLE (T0-254AA) RAD-Hard HEXFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID QPL Part Number IRHM9250 100K Rads (Si) 0.315 -14A JANSR2N7423 IRHM93250 300K Rads (Si) 0.315 -14A JANSF2N7423 International Rectifier s RAD-Hard HEXFET technol-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: HM44, HM5401, HM5551, HM669A, HM6718, HM772, HM772A, HM882, MPSA42, HM94, HM965, HMBT1015, HMBT1815, HMBT2222A, HMBT2369, HMBT2907A, HMBT3904