Справочник транзисторов. HM92

 

Биполярный транзистор HM92 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HM92
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: SOT-89
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

HM92 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:37K  hsmc
 hm92.pdf pdf_icon

HM92

Spec. No. : HE9509HI-SINCERITYIssued Date : 1996.04.09Revised Date : 2004.12.21MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HM92PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HM92 is designed for application as a video output to drive color CRT, or as adialer circuit in electronics telephone.SOT-89Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature ............

 0.1. Size:94K  international rectifier
 irhm9230.pdf pdf_icon

HM92

Provisional Data Sheet No. PD-9.1395I T TI T T T I T Product Summary-200 Volt, 0.8 RAD HARD HEXFET, International Rectifiers P-Channel RAD HARD technologyPart Number BVDSS RDS(on) IDHEXFETs demonstrate excellent threshold voltage stabilityand breakdown voltage stability at total radiation doses asIRHM9230 -200V 0.8 -6.5Ahigh as 105 Rads (Si).

 0.2. Size:237K  international rectifier
 irhm9064 irhm9160 irhm9260.pdf pdf_icon

HM92

The documentation and process conversion measures INCH-POUND necessary to comply with this document shall be MIL-PRF-19500/660E completed by 6 February 2014. 6 December 2013 SUPERSEDING MIL-PRF-19500/660D 11 February 2013 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET SEMICONDUCTOR DEVICE, FIELD EFFECT RADIATION HARDENED TRANSISTOR, P-CHANNEL SILICON, TYPES 2N7424, 2N7425, AND 2N7426

 0.3. Size:117K  international rectifier
 irhm9250.pdf pdf_icon

HM92

PD - 91299CIRHM9250JANSR2N7423RADIATION HARDENED200V, P-CHANNELPOWER MOSFETREF: MIL-PRF-19500/662THRU-HOLE (T0-254AA) RAD-Hard HEXFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number Radiation Level RDS(on) ID QPL Part NumberIRHM9250 100K Rads (Si) 0.315 -14A JANSR2N7423IRHM93250 300K Rads (Si) 0.315 -14A JANSF2N7423International Rectifiers RAD-Hard HEXFET technol-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: 2N1365 | CS1312G | ZXT11N20DF | 2SD1074 | 2SC2408 | BU931ZP | ESM2894

 

 
Back to Top

 


 
.